Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7
;
DMN2011UFDE-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMN2011UFDE-7 при покупке от 1 шт 115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2011UFDE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Он является ненасыщенным полупроводниковым транзистором с негативным каналом, работающим в режиме источника тока.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Максимальный ток: 11.7А
    • Форм-фактор: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрузки и перегрева
    • Могут возникать проблемы с управлением при больших токах
  • Общее назначение:
    • Переключение и регулировка тока в электрических цепях
    • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • Эффективное управление мощностью в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Телевизоры и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2011UFDE-7

Техническая документация

DMN2011UFDE-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 73718 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    115 ₽
  • 100
    67 ₽
  • 1000
    50 ₽
  • 6000
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMN2011UFDE-7 при покупке от 1 шт 115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2011UFDE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Он является ненасыщенным полупроводниковым транзистором с негативным каналом, работающим в режиме источника тока.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Максимальный ток: 11.7А
    • Форм-фактор: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрузки и перегрева
    • Могут возникать проблемы с управлением при больших токах
  • Общее назначение:
    • Переключение и регулировка тока в электрических цепях
    • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • Эффективное управление мощностью в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Телевизоры и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2011UFDE-7

Техническая документация

DMN2011UFDE-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории