Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN2011UFDE-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7
;
DMN2011UFDE-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2011UFDE-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2011UFDE-7 при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2011UFDE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Он является ненасыщенным полупроводниковым транзистором с негативным каналом, работающим в режиме источника тока.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Максимальный ток: 11.7А
    • Форм-фактор: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрузки и перегрева
    • Могут возникать проблемы с управлением при больших токах
  • Общее назначение:
    • Переключение и регулировка тока в электрических цепях
    • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • Эффективное управление мощностью в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Телевизоры и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2011UFDE-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2248 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    610mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Корпус
    6-PowerUDFN
  • Base Product Number
    DMN2011

Техническая документация

 DMN2011UFDE-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 38018 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    198 ₽
  • 10
    124 ₽
  • 500
    62 ₽
  • 3000
    41.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2011UFDE-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2011UFDE-7 при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2011UFDE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Он является ненасыщенным полупроводниковым транзистором с негативным каналом, работающим в режиме источника тока.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Максимальный ток: 11.7А
    • Форм-фактор: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрузки и перегрева
    • Могут возникать проблемы с управлением при больших токах
  • Общее назначение:
    • Переключение и регулировка тока в электрических цепях
    • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • Эффективное управление мощностью в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Телевизоры и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2011UFDE-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2248 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    610mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Корпус
    6-PowerUDFN
  • Base Product Number
    DMN2011

Техническая документация

 DMN2011UFDE-7.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП