Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13
;
DMN4026SK3-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMN4026SK3-13 при покупке от 1 шт 183.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN4026SK3-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13 — это полупроводниковый транзистор с низким напряжением на проводимости (N-канальный MOSFET) производства компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Напряжение на проводимости (VDS(on)): 40В
  • Размер токов (ID): 28А
  • Тип корпуса: TO252

Плюсы:

  • Высокая способность к переносу тока (28А).
  • Низкое напряжение на проводимости (40В), что уменьшает энергетические потери.
  • Корпус TO252 обеспечивает хорошую термическую эффективность.

Минусы:

  • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения.
  • Могут возникать проблемы при работе с высокими частотами из-за паразитных элементов.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, требующих управления большим током, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Инверторы
  • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN4026SK3-13

Техническая документация

DMN4026SK3-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 4548 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    183 ₽
  • 100
    74 ₽
  • 1000
    52 ₽
  • 10000
    36 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMN4026SK3-13 при покупке от 1 шт 183.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN4026SK3-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13 — это полупроводниковый транзистор с низким напряжением на проводимости (N-канальный MOSFET) производства компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Напряжение на проводимости (VDS(on)): 40В
  • Размер токов (ID): 28А
  • Тип корпуса: TO252

Плюсы:

  • Высокая способность к переносу тока (28А).
  • Низкое напряжение на проводимости (40В), что уменьшает энергетические потери.
  • Корпус TO252 обеспечивает хорошую термическую эффективность.

Минусы:

  • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения.
  • Могут возникать проблемы при работе с высокими частотами из-за паразитных элементов.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, требующих управления большим током, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Инверторы
  • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN4026SK3-13

Техническая документация

DMN4026SK3-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории