Вход/Регистрация
FP50R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
F4150R12KS4BOSA1
F4150R12KS4BOSA1
- Производитель:INFINEON TECHNOLOGIES
- Артикул:F4150R12KS4BOSA1
- Описание:Транзистор: IGBT MOD 1200V 180A 960WВсе характеристики
Минимальная цена F4150R12KS4BOSA1 при покупке от 1 шт 36651.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить F4150R12KS4BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 2 штв наличии
- 10 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 136 651 ₽
- 332 897 ₽
- 1030 690 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:INFINEON TECHNOLOGIES
- Артикул:F4150R12KS4BOSA1
- Описание:Транзистор: IGBT MOD 1200V 180A 960WВсе характеристики
Минимальная цена F4150R12KS4BOSA1 при покупке от 1 шт 36651.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить F4150R12KS4BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание F4150R12KS4BOSA1
F4150R12KS4BOSA1 — транзистор Infineon Technologies, тип IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Основные параметры:
- Номинальное напряжение: 1200В
- Максимальный ток: 180А
- Мощность: 960ВА
Плюсы:
- Высокая эффективность
- Низкое значение тока шотт키
- Устойчивость к перегреву
- Долгий срок службы
Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Требует дополнительного охлаждения
- Комплексность в использовании (необходимы защитные цепи)
Общее назначение: Используется для управления током в различных приборах и системах, где требуется высокая мощность и точный контроль тока.
Применяется в:
- Автомобильных системах
- Системах управления приводами
- Инверторах
- Питательных преобразователях
- Энергосберегающих устройствах
Выбрано: Показать
Характеристики F4150R12KS4BOSA1
Техническая документация
F4150R12KS4BOSA1.pdf pdf. 0 kb