Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
FD6M045N06
FD6M045N06

FD6M045N06

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FD6M045N06
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена FD6M045N06 при покупке от 52 шт 1061.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD6M045N06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FD6M045N06

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
    Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
    Особенности полевого транзистора Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 40A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    87nC @ 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3890pF @ 25V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3890pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    EPM15
    Корпус EPM15
  • Исполнение корпуса
    EPM15
    Исполнение корпуса EPM15
Техническая документация
 FD6M045N06.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1409 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 52
    1 061 ₽

Минимально и кратно 52 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FD6M045N06
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена FD6M045N06 при покупке от 52 шт 1061.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD6M045N06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FD6M045N06

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
    Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
    Особенности полевого транзистора Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 40A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    87nC @ 10V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3890pF @ 25V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3890pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    EPM15
    Корпус EPM15
  • Исполнение корпуса
    EPM15
    Исполнение корпуса EPM15
Техническая документация
 FD6M045N06.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT77N60JC3MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP
    IXFN180N20MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
    APT40N60JCU3MOSFET N-CH 600V 40A SOT227
    VMO1200-01FMOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI
    APT40N60JCU2MOSFET N-CH 600V 40A SOT227
    APT19F100J
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    IXFN26N90MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    STE70NM60MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    APT60M60JLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    APTM100H45STGТранзистор: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    IXFN130N30MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    APTM20UM03FAGMOSFET N-CH 200V 580A SP6
    FD6M043N08Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    APTM100UM45FAGMOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП