Вход/Регистрация
FP50R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
FDDF80R12W1H3B52BOMA1
FDDF80R12W1H3B52BOMA1
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FDDF80R12W1H3B52BOMA1
- Описание:Транзистор: IGBT MODULEВсе характеристики
Минимальная цена FDDF80R12W1H3B52BOMA1 при покупке от 9 шт 6457.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDDF80R12W1H3B52BOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 672 шт3-6 недель
Минимально и кратно 9 шт
- КоличествоЦена
- 96 457 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FDDF80R12W1H3B52BOMA1
- Описание:Транзистор: IGBT MODULEВсе характеристики
Минимальная цена FDDF80R12W1H3B52BOMA1 при покупке от 9 шт 6457.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDDF80R12W1H3B52BOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание FDDF80R12W1H3B52BOMA1
FDDF80R12W1H3B52BOMA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MODULE
- Основные параметры:
- Максимальный напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) - 800 В
- Максимальный ток коллектора (ICM) - 120 А
- Коэффициент силуминового корпуса (HFE) - 3
- Температурный коэффициент (BT) - 52 мВ/°C
- Номер партии (BOMA1)
- Плюсы:
- Высокая мощность и надежность
- Эффективное управление теплом благодаря силуминовому корпусу
- Малый размер и легкость в установке
- Устойчивость к скачкам напряжения
- Минусы:
- Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
- Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
- Общее назначение:
- Переключение высоковольтных и высокотоковых цепей
- Регулирование напряжения в источниках питания
- Привод управления электродвигателями
- Применение в устройствах:
- Автомобильные системы управления двигателем
- Источники питания для серверных систем
- Промышленные приводы
- Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать
Характеристики FDDF80R12W1H3B52BOMA1
Минимально и кратно 9 шт