Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDP3651U
  • В избранное
FDP3651U

FDP3651U полевой транзистор, N-канал, 100В, 80А, 255Вт

  • В избранное
FDP3651U
FDP3651U

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDP3651U
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP3651U при покупке от 1 шт 510 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP3651U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 424 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    510 ₽
  • 50
    254 ₽
  • 100
    229 ₽
  • 500
    185 ₽
  • 1000
    171 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики FDP3651U

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    69 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5522 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    255W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 FDP3651U.pdf
pdf. 0 kb

Описание FDP3651U

FDP3651U onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 100В
    • Номинальный ток (ID) - 80А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении в режиме насыщения
    • Малое энергетическое затухание
    • Высокая надежность и долговечность
    • Минимальные размеры и вес
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Существует вероятность электрического разрыва при некорректной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Изменение тока в электрических цепях
    • Управление мощностью в различных приборах и системах
    • Регулировка частоты и амплитуды сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Питание и регулировка напряжения в бытовой технике
    • Питание и управление электронными устройствами
    • Питание и управление силовыми установками
    • Мощные светодиодные источники света (LED)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП