FF50R12RT4HOSA1 транзистор IGBT модуль, Half Bridge, 1200В, 50А, 285Вт

FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies ИГБТ модуль:

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 1200 В
• Номинальный ток: 50 А
• Мощность: 285 ВА
• Плюсы:
• Высокая эффективность
• Устойчивость к перегрузкам
• Компактность и надежность
• Долговечность
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует дополнительных компонентов для работы
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения и тока в электрических системах
• Преобразование частоты в промышленной автоматике
• Реверсивное управление двигателей
• Энергосберегающие системы
• В каких устройствах применяется:
• Инверторы для кондиционеров и холодильников
• Промышленные преобразователи частоты
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы энергосбережения и управления нагрузками