Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FF600R12ME4EB11BOSA1

FF600R12ME4EB11BOSA1

FF600R12ME4EB11BOSA1
;
FF600R12ME4EB11BOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF600R12ME4EB11BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 995A 4050WВсе характеристики

Минимальная цена FF600R12ME4EB11BOSA1 при покупке от 1 шт 82056.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF600R12ME4EB11BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF600R12ME4EB11BOSA1

FF600R12ME4EB11BOSA1 — это транзистор Infineon Technologies типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Основные параметры этого модуля:

  • Управляемое напряжение: 1200В
  • Рейтингный ток: 995А
  • Рейтингная мощность: 4050Вт

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке и использованию современных технологий производства.
  • Эффективность работы даже при больших нагрузках.
  • Простота управления благодаря индуктивному изоляционному каналу.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требуется дополнительное охлаждение, особенно при работе в режиме пиковых нагрузок.

Общее назначение: IGBT модуль FF600R12ME4EB11BOSA1 используется для управления электрическими цепями с высоким напряжением и током, обеспечивая высокую эффективность и надежность в различных приложениях.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем и приводами.
  • Промышленные преобразователи частоты.
  • Системы управления энергоснабжением.
  • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики FF600R12ME4EB11BOSA1

Техническая документация

FF600R12ME4EB11BOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1341 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 056 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF600R12ME4EB11BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 995A 4050WВсе характеристики

Минимальная цена FF600R12ME4EB11BOSA1 при покупке от 1 шт 82056.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF600R12ME4EB11BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF600R12ME4EB11BOSA1

FF600R12ME4EB11BOSA1 — это транзистор Infineon Technologies типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Основные параметры этого модуля:

  • Управляемое напряжение: 1200В
  • Рейтингный ток: 995А
  • Рейтингная мощность: 4050Вт

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке и использованию современных технологий производства.
  • Эффективность работы даже при больших нагрузках.
  • Простота управления благодаря индуктивному изоляционному каналу.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требуется дополнительное охлаждение, особенно при работе в режиме пиковых нагрузок.

Общее назначение: IGBT модуль FF600R12ME4EB11BOSA1 используется для управления электрическими цепями с высоким напряжением и током, обеспечивая высокую эффективность и надежность в различных приложениях.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем и приводами.
  • Промышленные преобразователи частоты.
  • Системы управления энергоснабжением.
  • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики FF600R12ME4EB11BOSA1

Техническая документация

FF600R12ME4EB11BOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории