FGB3040CS транзистор, IGBT, 430В, 21А, 150Вт, Logic

FGB3040CS Fairchild Semiconductor Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)

• Основные параметры:
  • Уровень напряжения блокировки (V_GE(th)): 4,5 В
  • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CE(max)): 1200 В
  • Максимальный ток коллектора (I_C(max)): 40 А
  • Максимальная частота (f_T(on)): 12 кГц
  • Максимальная температура работы: +175 °C
• Плюсы:
  • Высокая эффективность при работе в средних и высоких напряжениях
  • Низкий уровень тока течения в режиме выключения
  • Устойчивость к электрическим шумам
  • Малый размер и легкость
  • Упрощенная схема управления по сравнению с MOSFET
• Минусы:
  • Большой тепловой сопротивление по сравнению с MOSFET
  • Требуется дополнительный теплоотвод
  • Не рекомендуется для частотных преобразователей с очень высокой частотой
• Общее назначение:
  • Регулирование напряжения и мощности в электропитании
  • Контроль потребления энергии в бытовой технике и промышленных устройствах
  • Использование в системах управления двигателей
  • Применение в источниках бесперебойного питания
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленные преобразователи и инверторы
  • Системы регулирования напряжения
  • Беспроводные устройства и системы передачи данных
  • Будильники и другие бытовые приборы