Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Популярные
Количество
IRGPS4067DPBF

International Rectifier

IRGPS4067DPBF
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 240 А, коллекторный ток (Icm) 360 А, корпус TO-274AA

50 шт - в наличии

1 665 ₽

1 шт — 1 665 ₽

STGB10NB37LZT4

STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 440 В, максимальный ток коллектора (Ic) 20 А, коллекторный ток (Icm) 40 А, корпус D2PAK

16 шт - в наличии

1138 шт - 3-6 недель

615 ₽

1 шт — 615 ₽

2 шт — 594 ₽

APT33GF120BRG

Microchip Technology

APT33GF120BRG
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 52 А, коллекторный ток (Icm) 104 А, корпус TO-247-3

8 шт - в наличии

76 шт - 3-6 недель

2 017 ₽

1 шт — 2 017 ₽

100 шт — 1 385 ₽

STGW20V60DF

STMICROELECTRONICS

STGW20V60DF
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 40 А, коллекторный ток (Icm) 80 А, корпус TO-247-3

4 шт - в наличии

878 шт - 3-6 недель

828 ₽

1 шт — 828 ₽

10 шт — 415 ₽

SKP02N60

Infineon Technologies AG

SKP02N60

4 шт - в наличии

424 ₽

1 шт — 424 ₽

IXXK100N60C3H1

IXYS

IXXK100N60C3H1
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 170 А, коллекторный ток (Icm) 340 А, корпус TO-264 (IXXK)

2 шт - в наличии

154 шт - 3-6 недель

6 024 ₽

1 шт — 6 024 ₽

10 шт — 3 758 ₽

AOB5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB5B65M1
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 10 А, коллекторный ток (Icm) 15 А, корпус TO-263 (D2Pak)

1 шт - в наличии

226 шт - 3-6 недель

1 735 ₽

1 шт — 1 735 ₽

10 шт — 410 ₽

FGA20S120M

Fairchild Semiconductor

FGA20S120M
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 40 А, коллекторный ток (Icm) 60 А, тип входа стандартный

3207 уп. - 3-6 недель

55 814 ₽ / уп.

118 шт. в упаковке • 473 ₽ за ед.

IRG4IBC20UDPBF

International Rectifier

IRG4IBC20UDPBF
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 11,4 А, коллекторный ток (Icm) 52 А, заряд затвора 27 nC

1250 уп. - 3-6 недель

55 332 ₽ / уп.

212 шт. в упаковке • 261 ₽ за ед.

RJH60M2DPE-00#J3

Renesas Electronics Corporation

RJH60M2DPE-00#J3
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 25 А, корпус SC-83, поверхностный монтаж (SMD)

2051 уп. - 3-6 недель

55 517 ₽ / уп.

77 шт. в упаковке • 721 ₽ за ед.

SGF23N60UFTU

Fairchild Semiconductor

SGF23N60UFTU
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 23 А, коллекторный ток (Icm) 92 А, тип входа стандартный

1025 уп. - 3-6 недель

55 719 ₽ / уп.

151 шт. в упаковке • 369 ₽ за ед.

SGS13N60UFDTU

Fairchild Semiconductor

SGS13N60UFDTU
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 13 А, коллекторный ток (Icm) 52 А, тип входа стандартный

306 уп. - 3-6 недель

55 650 ₽ / уп.

371 шт. в упаковке • 150 ₽ за ед.

HGTP3N60A4

Harris Corporation

HGTP3N60A4
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 17 А, коллекторный ток (Icm) 40 А, корпус TO-220-3

346 уп. - 3-6 недель

111 188 ₽ / уп.

308 шт. в упаковке • 361 ₽ за ед.

IRGB4060DPBF

Infineon Technologies

IRGB4060DPBF
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 16 А, коллекторный ток (Icm) 32 А, корпус TO-220-3

566 уп. - 3-6 недель

55 545 ₽ / уп.

161 шт. в упаковке • 345 ₽ за ед.

HGTP12N60A4D

Fairchild Semiconductor

HGTP12N60A4D
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 54 А, коллекторный ток (Icm) 96 А, корпус TO-220-3

492 уп. - 3-6 недель

55 784 ₽ / уп.

152 шт. в упаковке • 367 ₽ за ед.

FGA90N30DTU

Fairchild Semiconductor

FGA90N30DTU
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 300 В, максимальный ток коллектора (Ic) 90 А, коллекторный ток (Icm) 220 А, тип входа стандартный

670 уп. - 3-6 недель

55 650 ₽ / уп.

105 шт. в упаковке • 530 ₽ за ед.

IRG7PH35UD1MPBF

International Rectifier

IRG7PH35UD1MPBF
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 50 А, корпус TO-247-3, монтаж в отверстия (THT)

786 уп. - 3-6 недель

55 714 ₽ / уп.

89 шт. в упаковке • 626 ₽ за ед.

SGU20N40LTU

Fairchild Semiconductor

SGU20N40LTU
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 400 В, коллекторный ток (Icm) 150 А, корпус I-PAK, монтаж в отверстия (THT)

461 уп. - 3-6 недель

55 719 ₽ / уп.

151 шт. в упаковке • 369 ₽ за ед.

IRGB4B60KD1PBF

International Rectifier

IRGB4B60KD1PBF
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 11 А, коллекторный ток (Icm) 22 А, корпус TO-220-3

258 уп. - 3-6 недель

55 500 ₽ / уп.

222 шт. в упаковке • 250 ₽ за ед.

FGB3040CS

Fairchild Semiconductor

FGB3040CS
IGBT-транзистор: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 430 В, максимальный ток коллектора (Ic) 21 А, корпус D²PAK-6, поверхностный монтаж (SMD)

364 уп. - 3-6 недель

55 580 ₽ / уп.

140 шт. в упаковке • 397 ₽ за ед.

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) — 0 , актуальные цены и наличие на складе

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.

Применение

Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
  • Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
  • Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
  • Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
  • Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.

Совместимость

Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные (Дискретные полупроводники)

Силовые ключи для современной электроники: как IGBT-транзисторы меняют индустрию

В мире силовой электроники существует постоянная борьба между двумя фундаментальными параметрами: мощностью и скоростью. Биполярные транзисторы с изолированным затвором, или IGBT, стали тем гениальным компромиссом, который позволил инженерам проектировать эффективные и компактные системы, управляющие огромными энергиями. Эти компоненты объединили в себе лучшие черты биполярных транзисторов — способность работать с высокими напряжениями и большими токами — и полевых MOSFET-транзисторов с их простым и энергоэффективным управлением с помощью напряжения, а не тока. Именно это сочетание делает их незаменимыми в схемах, где требуется коммутировать нагрузки в десятки и сотни ампер при напряжениях до нескольких киловольт, что абсолютно недостижимо для обычных MOSFET. Их роль сложно переоценить: они являются буквально «мышцами» современной промышленной автоматики, энергосетей и транспорта, преобразуя электрическую энергию с минимальными потерями.

Внешний вид мощного дискретного IGBT-транзистора в корпусе TO-268

От промышленных приводов до бытовой техники: где работают IGBT

Практически любое современное устройство, которое плавно регулирует скорость мощного электродвигателя или преобразует постоянный ток в переменный с высокой точностью, с большой долей вероятности использует IGBT-транзсисторы. Самый яркий пример — это частотные преобразователи и сервоприводы на заводах. Они позволяют точно контролировать скорость и момент вращения асинхронных двигателей станков, конвейеров и насосов, экономя до 50% электроэнергии по сравнению с простым пуском через прямой пуск. Не менее важна их роль в силовых инверторах для солнечных электростанций и систем бесперебойного питания, где они преобразуют постоянное напряжение от батарей в чистую синусоиду 220В для питания чувствительного медицинского или серверного оборудования. Мы даже не замечаем, как ежедневно пользуемся плодами их работы: в современных стиральных машинах с прямым приводом, индукционных варочных панелях, которые мгновенно и точно регулируют нагрев, и системах кондиционирования воздуха с инверторными компрессорами именно IGBT обеспечивают тихую и экономичную работу.

На что смотреть при выборе дискретного IGBT

Выбор конкретного одиночного IGBT — это всегда поиск баланса под конкретную задачу. Ключевыми параметрами являются коллектор-эмиттерное напряжение VCES и постоянный ток коллектора IC при определенной температуре. Важно выбирать компонент с запасом по напряжению не менее 20-30% от максимального в вашей схеме, чтобы обезопасить себя от всплесков и перенапряжений. Не менее критичен ток: его значение в даташите обычно указано для температуры корпуса 25°C или 100°C, но в реальности, при плохом теплоотводе, максимальный допустимый ток будет значительно ниже. Обязательно анализируйте падение напряжения в открытом состоянии VCE(sat) — именно оно определяет основные потери мощности и нагрев прибора в ключевом режиме. Для частотных преобразователей и инверторов также важен параметр скорости переключения, так как чем она выше, тем меньше потери, но тем сложнее становится подавление электромагнитных помех. Наконец, обращайте внимание на тип корпуса: мощные модели в TO-247 или TO-3PF требуют обязательного монтажа на радиатор, в то время как компактные DPAK или TO-252 подходят для менее требовательных применений.

Почему заказ IGBT в «Эиком Ру» — это верное решение

Создавая сложные и надежные системы, вы должны быть абсолютно уверены в качестве каждого компонента, особенно силового, отказ которого может привести к дорогостоящему простою оборудования. «Эиком Ру» предлагает обширный каталог дискретных IGBT-транзисторов от ведущих мировых производителей, таких как Infineon, STMicroelectronics, Vishay и ON Semiconductor. Мы тщательно проверяем цепочки поставок, поэтому гарантируем, что вы получаете исключительно оригинальные компоненты, прошедшие полный цикл заводского контроля. Наш собственный склад в Москве позволяет оперативно комплектовать заказы и предлагать действительно конкурентные цены без лишних наценок. А для инженеров и компаний по всей России мы сделали доставку бесплатной, чтобы вы могли сосредоточиться на проектировании, а не на логистике. Мы не просто продаем радиодетали, мы предоставляем доступ к технологиям, которые двигают прогресс вперед.

Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП