SGF23N60UFTU

SGF23N60UFTU Fairchild Semiconductor Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение блокировки U_CEO: 650 В
  • Максимальная токовая способность I_TO: 230 А
  • Максимальная частота работы f_T: 12 кГц
  • Температурный коэффициент температуры: ±2% при изменении от -40°C до +150°C
• Плюсы:
  • Высокая эффективность при работе с переменным током
  • Высокая надежность и долговечность
  • Низкое сопротивление ввода
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
• Минусы:
  • Высокий уровень тепловыделения при работе в режиме полной нагрузки
  • Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения надежной работы
  • Сложнее в использовании по сравнению с обычными транзисторами
• Общее назначение:
  • Контроль мощности в электронных устройствах
  • Использование в промышленных преобразователях тока
  • Регулировка мощности в инверторах
  • Внедрение в системы управления двигателей
• Применение:
  • Автомобильные инверторы
  • Промышленные преобразователи
  • Электропоезда и трамваи
  • Мощные источники питания
  • Системы управления двигателей