FM25VN10-G

FM25VN10-G Infineon Technologies микросхема:

• Тип: IC FRAM (Ферромагнитная память)
• Объем памяти: 1МБИТ
• Интерфейс: SPI (Serial Peripheral Interface)
• Частота: 40МГЦ
• Форм-фактор: 8SOIC (Surface Mount Package)

Основные параметры:

• Низкая скорость записи по сравнению с DRAM, но значительно быстрее NVRAM
• Возможность многократной записи без потери данных
• Высокая надежность и долгий срок службы
• Устойчивость к излучению

Плюсы:

• Надежность данных при частых перезаписях
• Устойчивость к электромагнитному излучению
• Низкое энергопотребление
• Многофункциональность (запоминание состояния, кэш, временная память)

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти
• Медленная скорость записи

Общее назначение:

• Запоминание состояния устройств
• Кэширование данных
• Сохранение настроек и конфигураций
• Временная память для высокоскоростных систем

Применяется в:

• Андроид-устройствах
• Микроконтроллерах
• Медицинской технике
• Автомобильных системах
• Промышленном оборудовании