FS25R12W1T7B11BOMA1

FS25R12W1T7B11BOMA1 транзистор, IGBT модуль, низкая мощность

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FS25R12W1T7B11BOMA1
Описание:
Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASYВсе характеристики

Минимальная цена FS25R12W1T7B11BOMA1 при покупке от 1 шт 5 346 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FS25R12W1T7B11BOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FS25R12W1T7B11BOMA1

FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY

Основные параметры:

Мощность: низкая мощность (LOW POWER)
Рабочее напряжение: 1200 В
Текущий ток: 25 А
Время переключения: 12 нс
Температурный диапазон: от -40°C до +150°C

Плюсы:

Высокая эффективность работы
Малый размер и легкость в установке
Надежность и долговечность
Устойчивость к перегрузкам

Минусы:

Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
Требуется дополнительное охлаждение для работы в условиях высокой температуры

Общее назначение:

Используется в маломощных системах преобразования энергии
Подходит для управления электрическими нагрузками в различных приложениях
Обеспечивает высокую скорость переключения и стабильную работу в широком диапазоне температур