HCT7000M полевой транзистор, N-канал, 60В, 200мА, 300мВт

HCT7000M TT Electronics/Optek Technology MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD — это нормально conducting MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением гейта и небольшими размерами.

• Основные параметры:
• Напряжение коллектора-эмиттера (V_CEO): 60В
• Размеры (SMD): 3SMD
• Ток нагрузки (I_D): 200mA
• Тип: N-канальный

• Плюсы:
• Высокая скорость переключения благодаря низкому напряжению гейта (V_GS(th))
• Малый размер и компактность (SMD-пакет)
• Низкое энергопотребление
• Устойчивость к электрическим шумам

• Минусы:
• Могут быть ограничены по максимальному току нагрузки
• Необходимо учитывать тепловые потери при длительной работе

• Общее назначение:
• Использование в цифровых и аналоговых цепях
• Переключение высокочастотных сигналов
• Управление нагрузками в электронных устройствах

• Применение в устройствах:
• Аудиосистемы
• Компьютеры и ноутбуки
• Автомобильная электроника
• Сотовые телефоны и другие мобильные устройства
• Производственное оборудование