IDT71V3556S100BG

IDT71V3556S100BG — микросхема SRAM (память с последовательным доступом) объемом 4.5 Мбит, работающая в параллельном режиме. Эта микросхема выполнена на 119-пиновой Ball Grid Array (BGA) подложке.

• Основные параметры:
• Объем памяти: 4.5 Мбит (562.5 КБ)
• Работает в параллельном режиме
• Поддерживает скорость работы до 83 МГц
• 119-пиновая BGA-подложка
• Плюсы:
• Высокая плотность интеграции
• Устойчивость к ошибкам благодаря проверке четности
• Скоростная работа
• Малый размер и легкость интеграции в современные системы
• Минусы:
• Высокие энергопотребление и тепловыделение при высокой скорости работы
• Стоимость может быть выше, чем у менее сложных типов памяти
• Общее назначение:
• Кэш-память для процессоров и графических адаптеров
• Временная память для временного хранения данных в системах обработки сигналов
• Контроллеры и процессоры
• Применяется в:
• Системах обработки сигналов
• Процессорах и графических картах
• Мобильных устройствах
• Компьютерах и серверах