Вход/Регистрация
IHW20N120R5IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A
IHW20N65R5
IHW20N65R5
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:IHW20N65R5
- Описание:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOВсе характеристики
Минимальная цена IHW20N65R5 при покупке от 1 шт 484.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IHW20N65R5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 488 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1484 ₽
- 10278 ₽
- 100226 ₽
- 480185 ₽
- 1200176 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:IHW20N65R5
- Описание:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOВсе характеристики
Минимальная цена IHW20N65R5 при покупке от 1 шт 484.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IHW20N65R5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание IHW20N65R5
IHW20N65R5 Infineon Technologies INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)
- Основные параметры:
- Рейтингное напряжение: 650 В
- Рейтингная токовая способность: 20 А
- Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Производитель: Infineon Technologies
- Плюсы:
- Высокая эффективность при работе
- Низкий уровень тепловыделения
- Малый размер и легкость
- Простота в использовании и управлении
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Сложность в проектировании систем управления для высокочастотного использования
- Общее назначение:
- Использование в промышленных преобразователях частоты
- В автомобилестроении для систем управления двигателем
- Для управления мощными электрическими нагрузками
- В каких устройствах применяется:
- Промышленные преобразователи
- Автомобили (системы управления двигателем, аккумуляторы)
- Электропоезда и электромобили
- Мощные источники питания
Выбрано: Показать