Вход/Регистрация
IKW30N60T
IKW30N60T
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:IKW30N60T
- Описание:IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH ANВсе характеристики
Минимальная цена IKW30N60T при покупке от 1 шт 838.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW30N60T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 353 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1838 ₽
- 10550 ₽
- 100412 ₽
- 480366 ₽
- 1200325 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:IKW30N60T
- Описание:IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH ANВсе характеристики
Минимальная цена IKW30N60T при покупке от 1 шт 838.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW30N60T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание IKW30N60T
IKW30N60T Infineon Technologies IKW30N60 - DISCRETE IGBT с анодным охлаждением
- Основные параметры:
- Максимальное напряжение блока (VCEO): 600 В
- Максимальная токовая способность (Imax): 30 А
- Питание при переходном процессе (IGT): 150 А
- Частота работы (fmax): до 20 кГц
- Плюсы:
- Высокая надежность и долговечность
- Устойчивость к перегреву и перенапряжению
- Эффективное управление током и мощностью
- Малый размер и легкость благодаря компактному дизайну
- Минусы:
- Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
- Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
- Общее назначение: Используется для управления мощностью в различных приложениях, требующих высокую эффективность и точность.
- Применяется в:
- Автомобильных системах
- Инверторах для промышленного оборудования
- Мощных преобразователях частоты
- Системах управления двигателем
- Солнечных энергетических системах
Выбрано: Показать
Характеристики IKW30N60T
