INA823DGKR

Информация о микросхеме INA823DGKR производства Texas Instruments:

• Основные параметры:
• Тип: магнитоимпульсный преамп (precision operational amplifier)
• Напряжение питания: 2.7 В до 36 В
• Потребляемая мощность: 5 мВт
• Аmplification factor (K): 100
• Input offset voltage: 100 μV max
• Input bias current: 1 pA max
• Плюсы:
• Высокая точность (precision) и низкий входной смещенный напряжением (input offset voltage)
• Низкое потребление энергии (low-power)
• Устойчивость к шуму и помехам благодаря низкому входному току (input bias current)
• Широкий диапазон рабочих напряжений (2.7 В до 36 В)
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с обычными операционными усилителями
• Необходимость использования дополнительных компонентов для некоторых приложений
• Общее назначение:
• Измерение слабых сигналов
• Преобразование магнитных импульсов в электрические сигналы
• Использование в системах измерения и контроля
• Работа в условиях высокого уровня шума и помех
• Применение:
• Медицинское оборудование
• Инженерное оборудование
• Автомобильная электроника
• Системы измерения и контроля