IRF1010EPBF транзистор, MOSFET N-канал, 60В, 84А, 200Вт

IRF1010EPBF Infineon Technologies Транзистор: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB

• Основные параметры:
  • Номинальное напряжение на дrain-source (V_DS) - 60В
  • Номинальный ток при V_DS = 25°C (I_D) - 84А
  • Тип - N-канальный MOSFET
  • Пакет - TO220AB
• Плюсы:
  • Высокая проводимость при низком напряжении на вводе (низкий R_DS(on))
  • Высокий коэффициент срабатывания
  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и легкий вес
• Минусы:
  • Относительно высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимо соблюдение условий охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Передача сигнала в цифровых и аналоговых системах
  • Управление мощными нагрузками в промышленных приложениях
• Применение:
  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
  • Мощные источники питания