Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRF1010EZPBF

IRF1010EZPBF транзистор, MOSFET N-канал, 60В, 75А, 140Вт

IRF1010EZPBF
IRF1010EZPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRF1010EZPBF
  • Описание:
    Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 2810 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 75 А (Tc), корпус TO-220ABВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 374 ₽/шт, купить IRF1010EZPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка

Характеристики

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 51A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2810 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    140W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF1010

Техническая документация

Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60В
    • Размерный ток (ID): 75А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая conductsивность в режиме насыщения
    • Малый сопротивление при открытом цепи (RDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Удобство монтажа благодаря стандартному пакету TO220AB
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами меньшего класса
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в преобразователях мощности
    • Подходит для применения в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Преобразователи мощности для бытовой техники
    • Источники питания для серверного оборудования
    • Системы управления промышленными электродвигателями

Альтернативные маркировки

  • 2156-IRF1010EZPBF
  • IFEINFIRF1010EZPBF
  • SP001571244