Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF510PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRF510PBF

IRF510PBF

IRF510PBF
;
IRF510PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRF510PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF510PBF при покупке от 1 шт 155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF510PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF510PBF

IRF510PBF VISHAY Транзистор: MOSFET N-CH 100В 5,6А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Номинальный ток (ID): 5,6А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Конструкция: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Малые размеры и вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Легкое управление
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре
    • Некоторый нагрев при работе
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Управление двигателей и приводами
    • Фильтрация и регулировка напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания компьютеров
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Домашние аудио- и видеоаппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики IRF510PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    180 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF510

Техническая документация

 IRF510PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 1409 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    155 ₽
  • 50
    113 ₽
  • 250
    91 ₽
  • 1000
    78 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRF510PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF510PBF при покупке от 1 шт 155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF510PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF510PBF

IRF510PBF VISHAY Транзистор: MOSFET N-CH 100В 5,6А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Номинальный ток (ID): 5,6А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Конструкция: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Малые размеры и вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Легкое управление
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре
    • Некоторый нагрев при работе
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Управление двигателей и приводами
    • Фильтрация и регулировка напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания компьютеров
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Домашние аудио- и видеоаппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики IRF510PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    180 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF510

Техническая документация

 IRF510PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFU210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
    149Кешбэк 22 балла
    IRF630PBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    150Кешбэк 22 балла
    SUD09P10-195-GE3MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
    154Кешбэк 23 балла
    SI3474DV-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
    155Кешбэк 23 балла
    IRF510PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    155Кешбэк 23 балла
    SI7615ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
    156Кешбэк 23 балла
    IRFUC20PBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
    156Кешбэк 23 балла
    IRF530PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
    157Кешбэк 23 балла
    SI4174DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
    157Кешбэк 23 балла
    IRLU110PBFMOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
    158Кешбэк 23 балла
    IRF710PBFMOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
    158Кешбэк 23 балла
    IRFU310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
    159Кешбэк 23 балла
    SI4435DDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
    162Кешбэк 24 балла
    IRFL9014TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
    166Кешбэк 24 балла
    SI2333CDS-T1-E3MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
    166Кешбэк 24 балла
    SI2308BDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
    167Кешбэк 25 баллов
    IRFU9210PBFMOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
    167Кешбэк 25 баллов
    SI5419DU-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
    168Кешбэк 25 баллов
    SIS413DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
    168Кешбэк 25 баллов
    SI8487DB-T1-E1MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
    168Кешбэк 25 баллов
    SIA441DJ-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
    169Кешбэк 25 баллов
    SUD19P06-60-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
    171Кешбэк 25 баллов
    IRFR224PBFMOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
    171Кешбэк 25 баллов
    SI3440DV-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
    173Кешбэк 25 баллов
    IRF630SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    174Кешбэк 26 баллов
    SI7121ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
    175Кешбэк 26 баллов
    SI3458BDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
    178Кешбэк 26 баллов
    IRLR120TRPBFMOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    IRFBF20SPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
    180Кешбэк 27 баллов
    IRFU320PBFMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
    180Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП