Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF510PBF
  • В избранное
IRF510PBF

IRF510PBF транзистор, MOSFET N-CH, 100В, 5.6А, 43Вт

  • В избранное
IRF510PBF — фото 1
IRF510PBF — фото 1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRF510PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF510PBF при покупке от 1 шт 186 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF510PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 2058 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    186 ₽
  • 10
    121 ₽
  • 100
    102 ₽
  • 500
    87 ₽
  • 2000
    77 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики IRF510PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    540mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    180 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF510

Техническая документация

 IRF510PBF.pdf
pdf. 0 kb

Описание IRF510PBF

IRF510PBF VISHAY Транзистор: MOSFET N-CH 100В 5,6А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Номинальный ток (ID): 5,6А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Конструкция: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Малые размеры и вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Легкое управление
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре
    • Некоторый нагрев при работе
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Управление двигателей и приводами
    • Фильтрация и регулировка напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания компьютеров
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Домашние аудио- и видеоаппаратура
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП