Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFPE30PBF
  • В избранное
IRFPE30PBF

IRFPE30PBF полевой транзистор, N-канал, 800В, 4.1А, 125Вт

  • В избранное
IRFPE30PBF — фото 1
IRFPE30PBF — фото 1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRFPE30PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IRFPE30PBF при покупке от 1 шт 1 190 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFPE30PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 380 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    1 190 ₽
  • 10
    799 ₽
  • 100
    578 ₽
  • 500
    483 ₽
  • 1000
    453 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики IRFPE30PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IRFPE30

Техническая документация

 IRFPE30PBF.pdf
pdf. 0 kb

Описание IRFPE30PBF

IRFPE30PBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 4.1А
    • Тип: N-канальный
    • Форм-фактор: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания (VGS(th)) до 4.5В
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Высокая скорость перехода (trrd(on) и trrd(off))
    • Устойчивость к тепловому удару
  • Минусы:
    • Высокие значения тока тока утечки при частичном отключении
    • Высокий уровень тепловыделения при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Контроль электрических цепей
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для преобразования напряжений
    • Приводы двигателей
    • Системы питания
    • Светодиодные драйверы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП