IRFR120PBF транзистор, MOSFET N-канал, 100В, 7.7А, 42Вт

IRFR120PBF VISHAY Транзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки (V_DS(on)): 100В
• Номинальный ток проводимости (I_D(on)): 7.7А
• Форм-фактор: DPAK
• Тип: MOSFET N-канальный
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения
• Малый динамический ток
• Хорошая термическая стабильность
• Простота применения и монтажа
• Минусы:
• Высокие значения емкости между полупроводником и изолятором (C_ox) могут вызывать паразитную емкость
• Небольшое значение тока проводимости при низких напряжениях может ограничивать его использование в некоторых приложениях
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Переключение высоких токов в источниках питания
• Изоляция сигналов в цифровых системах
• В каких устройствах применяется:
• Источники питания
• Автомобильные системы
• Электронастроенные устройства
• Цифровые системы управления
• Инверторы и преобразователи