IRFR3711TRLPBF полевой транзистор, HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET, N-канал, 20В, 100А, 120Вт

IRFR3711TRLPBF Infineon Technologies HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• Номинальный ток вдоль канала (RDS(on)) 0,054 Ом при 25°C
• Номинальное напряжение блокировки 60 В
• Тип: N-канальный транзистор
• Стрелка выходной мощности: 270 ВА
• Плюсы:
• Малый ток пролета (RDS(on)) обеспечивает высокую эффективность
• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к перегреву
• Простота использования и интеграции в схемы
• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения для работы при больших нагрузках
• Не подходит для применения в высокочастотных режимах из-за медленного времени перехода
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Блокирование и проводимость электрического тока
• Изменение уровня напряжения
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Энергосберегающие системы
• Питание серверных систем
• Системы управления двигателем
• Мощные источники питания