Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXFN100N50P

IXFN100N50P

IXFN100N50P
;
IXFN100N50P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXFN100N50P при покупке от 1 шт 9289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN100N50P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN100N50P

IXFN100N50P IXYS Транзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 4 V
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)): 90 A
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 500 V
    • Тип корпуса: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкое напряжение включения
    • Малый размер корпуса для своей мощности
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть проблемы с шумами при работе в высокочастотном диапазоне
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение тока в электрических цепях
    • Управление мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Электронные блоки питания
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN100N50P

Техническая документация

IXFN100N50P.pdf
pdf. 0 kb
  • 366 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 289 ₽
  • 10
    7 202 ₽
  • 100
    6 602 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXFN100N50P при покупке от 1 шт 9289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN100N50P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN100N50P

IXFN100N50P IXYS Транзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 4 V
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)): 90 A
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 500 V
    • Тип корпуса: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкое напряжение включения
    • Малый размер корпуса для своей мощности
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть проблемы с шумами при работе в высокочастотном диапазоне
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение тока в электрических цепях
    • Управление мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Электронные блоки питания
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN100N50P

Техническая документация

IXFN100N50P.pdf
pdf. 0 kb
Доставка