Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN200N10P
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN200N10P

IXFN200N10P

IXFN200N10P
;
IXFN200N10P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN200N10P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN200N10P при покупке от 1 шт 5492.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN200N10P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN200N10P

IXFN200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 200A
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий уровень шума и электромагнитных помех
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое энергетическое потребление
    • Устойчивость к динамическим нагрузкам
  • Минусы:
    • Необходима правильная проекция системы охлаждения
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Маршрутизаторы и коммутационное оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN200N10P

  • Package
    Box
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    680W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN200

Техническая документация

 IXFN200N10P.pdf
pdf. 0 kb
  • 444 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 492 ₽
  • 10
    4 020 ₽
  • 100
    3 425 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN200N10P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN200N10P при покупке от 1 шт 5492.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN200N10P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN200N10P

IXFN200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 200A
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий уровень шума и электромагнитных помех
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое энергетическое потребление
    • Устойчивость к динамическим нагрузкам
  • Минусы:
    • Необходима правильная проекция системы охлаждения
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Маршрутизаторы и коммутационное оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN200N10P

  • Package
    Box
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    680W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN200

Техническая документация

 IXFN200N10P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STE48NM50MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
    5 420Кешбэк 813 баллов
    STE53NC50MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
    5 980Кешбэк 897 баллов
    STE145N65M5MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
    6 709Кешбэк 1 006 баллов
    STE40NC60MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
    7 724Кешбэк 1 158 баллов
    STE88N65M5MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
    8 197Кешбэк 1 229 баллов
    STE70NM60MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    10 782Кешбэк 1 617 баллов
    APT5010JLLU2MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
    4 956Кешбэк 743 балла
    APT10M11JVRU3MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 231Кешбэк 784 балла
    APT10M11JVRU2MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 231Кешбэк 784 балла
    APT51F50JMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
    5 268Кешбэк 790 баллов
    APT50M75JLLU2MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
    5 338Кешбэк 800 баллов
    APT5010JVRU2MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
    5 695Кешбэк 854 балла
    APT47M60JMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
    5 779Кешбэк 866 баллов
    APT17F120JMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
    5 891Кешбэк 883 балла
    APT50M65JLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 387Кешбэк 1 258 баллов
    APT50M65JFLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 556Кешбэк 1 283 балла
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    8 755Кешбэк 1 313 баллов
    APT80M60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
    9 922Кешбэк 1 488 баллов
    APT41F100JMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
    11 160Кешбэк 1 674 балла
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    11 295Кешбэк 1 694 балла
    APT58M80JMOSFET N-CH 800V 60A SOT227
    11 396Кешбэк 1 709 баллов
    APT50M38JLLMOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
    14 589Кешбэк 2 188 баллов
    APT60M60JLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    17 999Кешбэк 2 699 баллов
    APT10021JFLLMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
    19 224Кешбэк 2 883 балла
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    22 026Кешбэк 3 303 балла
    APTML100U60R020T1AGMOSFET N-CH 1000V 20A SP1
    26 243Кешбэк 3 936 баллов
    APTM20AM04FGТранзистор: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
    48 428Кешбэк 7 264 балла
    IXFN230N20TMOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
    7 238Кешбэк 1 085 баллов
    FD6M033N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    891Кешбэк 133 балла
    FD6M045N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    1 328Кешбэк 199 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП