Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN200N10P
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN200N10P

IXFN200N10P

IXFN200N10P
;
IXFN200N10P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    IXFN200N10P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN200N10P при покупке от 1 шт 5520.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN200N10P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN200N10P

IXFN200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 200A
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий уровень шума и электромагнитных помех
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое энергетическое потребление
    • Устойчивость к динамическим нагрузкам
  • Минусы:
    • Необходима правильная проекция системы охлаждения
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Маршрутизаторы и коммутационное оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN200N10P

  • Package
    Box
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    680W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN200

Техническая документация

 IXFN200N10P.pdf
pdf. 0 kb
  • 847 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 520 ₽
  • 5
    4 780 ₽
  • 10
    4 040 ₽
  • 50
    3 989 ₽
  • 100
    3 935 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    IXFN200N10P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN200N10P при покупке от 1 шт 5520.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN200N10P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN200N10P

IXFN200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 200A
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий уровень шума и электромагнитных помех
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое энергетическое потребление
    • Устойчивость к динамическим нагрузкам
  • Минусы:
    • Необходима правильная проекция системы охлаждения
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Маршрутизаторы и коммутационное оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN200N10P

  • Package
    Box
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    680W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN200

Техническая документация

 IXFN200N10P.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП