Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN38N100P
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN38N100P

IXFN38N100P

IXFN38N100P
;
IXFN38N100P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN38N100P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN38N100P при покупке от 1 шт 9438.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN38N100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN38N100P

IXFN38N100P IXYS MOSFET N-Ч 1000В 38А SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 1000В
    • Рейтинг тока: 38А
    • Форм-фактор: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый дроссельный сопротивление
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • В системах преобразования энергии
    • В системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфонов и ноутбуков
    • Автомобильных систем
    • Промышленного оборудования
    • Источников бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN38N100P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    38A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    350 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1000W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN38

Техническая документация

 IXFN38N100P.pdf
pdf. 0 kb
  • 150 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 438 ₽
  • 10
    7 128 ₽
  • 100
    6 701 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN38N100P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN38N100P при покупке от 1 шт 9438.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN38N100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN38N100P

IXFN38N100P IXYS MOSFET N-Ч 1000В 38А SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 1000В
    • Рейтинг тока: 38А
    • Форм-фактор: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый дроссельный сопротивление
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • В системах преобразования энергии
    • В системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфонов и ноутбуков
    • Автомобильных систем
    • Промышленного оборудования
    • Источников бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN38N100P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    38A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    350 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1000W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN38

Техническая документация

 IXFN38N100P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 784Кешбэк 867 баллов
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    6 057Кешбэк 908 баллов
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    6 105Кешбэк 915 баллов
    IXFN64N60PMOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
    6 556Кешбэк 983 балла
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 562Кешбэк 984 балла
    IXFN520N075T2MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
    6 647Кешбэк 997 баллов
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 862Кешбэк 1 029 баллов
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    6 920Кешбэк 1 038 баллов
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    7 022Кешбэк 1 053 балла
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    7 039Кешбэк 1 055 баллов
    IXTN90P20PMOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
    7 039Кешбэк 1 055 баллов
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    7 163Кешбэк 1 074 балла
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    7 211Кешбэк 1 081 балл
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    7 251Кешбэк 1 087 баллов
    IXFN32N100PMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    7 268Кешбэк 1 090 баллов
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    7 709Кешбэк 1 156 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 748Кешбэк 1 162 балла
    IXFN26N100PMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
    8 079Кешбэк 1 211 баллов
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 293Кешбэк 1 243 балла
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    8 670Кешбэк 1 300 баллов
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    8 678Кешбэк 1 301 балл
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 724Кешбэк 1 308 баллов
    IXFN300N10PMOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
    8 903Кешбэк 1 335 баллов
    IXFN170N30PMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
    8 903Кешбэк 1 335 баллов
    IXFN100N50PТранзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    9 184Кешбэк 1 377 баллов
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    9 219Кешбэк 1 382 балла
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 369Кешбэк 1 405 баллов
    IXTN200N10L2MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
    9 438Кешбэк 1 415 баллов
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 438Кешбэк 1 415 баллов
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 438Кешбэк 1 415 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП