Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN38N100P
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN38N100P

IXFN38N100P

IXFN38N100P
;
IXFN38N100P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN38N100P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN38N100P при покупке от 1 шт 9082.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN38N100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN38N100P

IXFN38N100P IXYS MOSFET N-Ч 1000В 38А SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 1000В
    • Рейтинг тока: 38А
    • Форм-фактор: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый дроссельный сопротивление
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • В системах преобразования энергии
    • В системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфонов и ноутбуков
    • Автомобильных систем
    • Промышленного оборудования
    • Источников бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN38N100P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    38A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    350 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1000W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN38

Техническая документация

 IXFN38N100P.pdf
pdf. 0 kb
  • 150 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 082 ₽
  • 10
    6 859 ₽
  • 100
    6 448 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN38N100P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN38N100P при покупке от 1 шт 9082.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN38N100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN38N100P

IXFN38N100P IXYS MOSFET N-Ч 1000В 38А SOT-227B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 1000В
    • Рейтинг тока: 38А
    • Форм-фактор: SOT-227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый дроссельный сопротивление
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • В системах преобразования энергии
    • В системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфонов и ноутбуков
    • Автомобильных систем
    • Промышленного оборудования
    • Источников бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN38N100P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    38A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    350 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1000W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN38

Техническая документация

 IXFN38N100P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STE145N65M5MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
    6 610Кешбэк 991 балл
    STE70NM60MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    10 849Кешбэк 1 627 баллов
    STE53NC50MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
    5 951Кешбэк 892 балла
    APT50M65JFLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 344Кешбэк 1 251 балл
    APT41F100JMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
    11 383Кешбэк 1 707 баллов
    APT50M38JLLMOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
    14 228Кешбэк 2 134 балла
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    11 016Кешбэк 1 652 балла
    APT5010JVRU2MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
    5 554Кешбэк 833 балла
    APTM50AM24SGТранзистор: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
    39 484Кешбэк 5 922 балла
    APT10M11JVRU3MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 102Кешбэк 765 баллов
    APT10021JFLLMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
    18 749Кешбэк 2 812 баллов
    APT50M75JLLU2MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
    5 206Кешбэк 780 баллов
    APTM100UM45DAGMOSFET N-CH 1000V 215A SP6
    58 422Кешбэк 8 763 балла
    APT10M11JVRU2MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 102Кешбэк 765 баллов
    APT51F50JMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
    5 137Кешбэк 770 баллов
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    8 539Кешбэк 1 280 баллов
    APTM50H14FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
    13 187Кешбэк 1 978 баллов
    APTML100U60R020T1AGMOSFET N-CH 1000V 20A SP1
    25 595Кешбэк 3 839 баллов
    APT17F120JMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
    5 745Кешбэк 861 балл
    APT80M60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
    9 676Кешбэк 1 451 балл
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    21 482Кешбэк 3 222 балла
    APT5010JLLU2MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
    4 834Кешбэк 725 баллов
    APT50M65JLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 180Кешбэк 1 227 баллов
    APTC60DSKM24T3GТранзистор: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
    18 025Кешбэк 2 703 балла
    APTM20AM04FGТранзистор: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
    47 232Кешбэк 7 084 балла
    APTM50AM38STGТранзистор: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
    24 427Кешбэк 3 664 балла
    APT60M60JLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    17 554Кешбэк 2 633 балла
    APTM100A13SCGТранзистор: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
    47 024Кешбэк 7 053 балла
    APT47M60JMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
    5 636Кешбэк 845 баллов
    APT58M80JMOSFET N-CH 800V 60A SOT227
    11 114Кешбэк 1 667 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП