Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN520N075T2
IXFN520N075T2

IXFN520N075T2

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN520N075T2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 480A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN520N075T2 при покупке от 1 шт 6363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN520N075T2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN520N075T2

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    480A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 480A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 100A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    545 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
    Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    41000 pF @ 25 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 41000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    940W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 940W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
    Вид монтажа Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
    Исполнение корпуса SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
    Корпус SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN520
    Base Product Number IXFN520
Техническая документация
 IXFN520N075T2.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1040 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 363 ₽
  • 10
    4 706 ₽
  • 100
    4 151 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN520N075T2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 480A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN520N075T2 при покупке от 1 шт 6363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN520N075T2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN520N075T2

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    480A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 480A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 100A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    545 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
    Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    41000 pF @ 25 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 41000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    940W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 940W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
    Вид монтажа Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
    Исполнение корпуса SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
    Корпус SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN520
    Base Product Number IXFN520
Техническая документация
 IXFN520N075T2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    IXFN26N100PMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
    APT10M11JVRU2MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    BSM180D12P2C101Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
    APT50M75JLLU2MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
    FD6M045N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    IXFN140N20PMOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
    IXTN60N50L2MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
    APTM100H45SCTGТранзистор: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
    APT58M80JMOSFET N-CH 800V 60A SOT227
    APT5010JLLU2MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
    APT41F100JMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    APT60M60JFLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    APTM50H14FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП