Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN64N60P
  • В избранное
  • В сравнение
IXFN64N60P

IXFN64N60P

IXFN64N60P
;
IXFN64N60P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN64N60P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 50A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN64N60P при покупке от 1 шт 6631.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN64N60P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN64N60P

IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Номинальный ток (ID): 50А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Малый ток течения при номинальном напряжении (VGS(th))
    • Компактный размер пакета SOT227B
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения
    • Необходимо учитывать параметры сопротивления резисторов при подключении
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных устройствах
    • Регулировка напряжений
    • Изменение частоты вverter-ов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
    • Смарт-дом
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN64N60P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    96mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    200 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN64

Техническая документация

 IXFN64N60P.pdf
pdf. 0 kb
  • 902 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 631 ₽
  • 10
    4 892 ₽
  • 100
    4 316 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN64N60P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 50A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN64N60P при покупке от 1 шт 6631.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN64N60P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFN64N60P

IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Номинальный ток (ID): 50А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Малый ток течения при номинальном напряжении (VGS(th))
    • Компактный размер пакета SOT227B
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения
    • Необходимо учитывать параметры сопротивления резисторов при подключении
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных устройствах
    • Регулировка напряжений
    • Изменение частоты вverter-ов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
    • Смарт-дом
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IXFN64N60P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    96mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    200 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN64

Техническая документация

 IXFN64N60P.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП