Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXFP10N60P
  • В избранное
IXFP10N60P

IXFP10N60P транзистор, MOSFET N-канал, 600В, 10А, 200Вт

  • В избранное
IXFP10N60P
IXFP10N60P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFP10N60P
  • Описание:
    Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1610 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 600 В, ток стока (Id) 10 А (Tc)Все характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 395 ₽/шт, купить IXFP10N60P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 1 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена с НДС
  • 1
    550 ₽
  • 3
    494 ₽
  • 10
    437 ₽
  • 50
    395 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка

Характеристики

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    740mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1610 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXFP10

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

IXFP10N60P IXYS MOSFET N-Ч 600В 10А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 600В
    • Рейтинг тока: 10А
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Низкий уровень тока стока
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдать меры по охлаждению из-за возможного нагрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Системы управления двигателем
    • Электронные регуляторы напряжения
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Энергосберегающие приборы

Альтернативные маркировки

  • IXFP10N60P-ND
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП