Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXTN170P10P
  • В избранное
  • В сравнение
IXTN170P10P

IXTN170P10P

IXTN170P10P
;
IXTN170P10P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN170P10P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 100V 170A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN170P10P при покупке от 1 шт 7102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN170P10P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN170P10P

IXTN170P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (П-канальный)
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Номинальный ток пропускаемый: 170А
    • Объемная единица: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое сопротивление резистанции
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Непригоден для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электротранспорте
    • Работа в системах управления энергоснабжением
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные аккумуляторные батареи
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы зарядки аккумуляторов
    • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN170P10P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    170A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    240 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    890W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN170

Техническая документация

 IXTN170P10P.pdf
pdf. 0 kb
  • 385 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 102 ₽
  • 10
    5 283 ₽
  • 100
    4 713 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN170P10P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 100V 170A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN170P10P при покупке от 1 шт 7102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN170P10P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN170P10P

IXTN170P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (П-канальный)
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Номинальный ток пропускаемый: 170А
    • Объемная единица: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое сопротивление резистанции
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Непригоден для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электротранспорте
    • Работа в системах управления энергоснабжением
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные аккумуляторные батареи
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы зарядки аккумуляторов
    • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN170P10P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    170A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    240 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    890W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN170

Техническая документация

 IXTN170P10P.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП