Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXTN210P10T
  • В избранное
  • В сравнение
IXTN210P10T

IXTN210P10T

IXTN210P10T
;
IXTN210P10T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN210P10T
  • Описание:
    MOSFET P-CH 100V 210A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN210P10T при покупке от 1 шт 9720.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN210P10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN210P10T

IXTN210P10T IXYS SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 210А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включенного состояния
    • Малый размер пакета
    • Доступен в компактном корпусе SOT227B
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за медленного времени перехода
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих высокой токовой способности и низкого напряжения включения
    • Подходит для питания больших потребителей энергии, таких как моторы и силовые системы
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Силовых преобразователях
    • Электроприводах
    • Инструментах с электрическими двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN210P10T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    210A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 105A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    740 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    69500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN210

Техническая документация

 IXTN210P10T.pdf
pdf. 0 kb
  • 1041 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 720 ₽
  • 10
    7 880 ₽
  • 100
    7 135 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN210P10T
  • Описание:
    MOSFET P-CH 100V 210A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN210P10T при покупке от 1 шт 9720.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN210P10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN210P10T

IXTN210P10T IXYS SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 210А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включенного состояния
    • Малый размер пакета
    • Доступен в компактном корпусе SOT227B
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за медленного времени перехода
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих высокой токовой способности и низкого напряжения включения
    • Подходит для питания больших потребителей энергии, таких как моторы и силовые системы
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Силовых преобразователях
    • Электроприводах
    • Инструментах с электрическими двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN210P10T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    210A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 105A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    740 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    69500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN210

Техническая документация

 IXTN210P10T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT50M65JFLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 556Кешбэк 1 283 балла
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    8 755Кешбэк 1 313 баллов
    APT80M60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
    9 922Кешбэк 1 488 баллов
    APT41F100JMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
    11 160Кешбэк 1 674 балла
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    11 295Кешбэк 1 694 балла
    APT58M80JMOSFET N-CH 800V 60A SOT227
    11 396Кешбэк 1 709 баллов
    APT50M38JLLMOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
    14 589Кешбэк 2 188 баллов
    APT60M60JLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    17 999Кешбэк 2 699 баллов
    APT10021JFLLMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
    19 224Кешбэк 2 883 балла
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    22 026Кешбэк 3 303 балла
    APTML100U60R020T1AGMOSFET N-CH 1000V 20A SP1
    26 243Кешбэк 3 936 баллов
    APTM20AM04FGТранзистор: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
    48 428Кешбэк 7 264 балла
    IXFN230N20TMOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
    7 238Кешбэк 1 085 баллов
    FD6M033N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    891Кешбэк 133 балла
    FD6M045N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    1 328Кешбэк 199 баллов
    IXTN60N50L2MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
    9 312Кешбэк 1 396 баллов
    BSM120D12P2C005Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
    79 842Кешбэк 11 976 баллов
    BSM180D12P2C101Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
    84 867Кешбэк 12 730 баллов
    CAS300M17BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
    189 367Кешбэк 28 405 баллов
    APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
    12 534Кешбэк 1 880 баллов
    CAS120M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
    96 380Кешбэк 14 457 баллов
    CCS050M12CM2Транзистор: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
    102 406Кешбэк 15 360 баллов
    CAS300M12BM2Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
    148 357Кешбэк 22 253 балла
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 043Кешбэк 456 баллов
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 074Кешбэк 761 балл
    IXFN180N15PMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
    5 121Кешбэк 768 баллов
    IXFN180N25TMOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
    5 387Кешбэк 808 баллов
    IXFN200N10PMOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN140N20PMOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
    5 492Кешбэк 823 балла
    IXFN64N50PMOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
    5 676Кешбэк 851 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП