Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTN210P10T

IXTN210P10T

IXTN210P10T
;
IXTN210P10T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTN210P10T при покупке от 1 шт 9746.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN210P10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN210P10T

IXTN210P10T IXYS SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 210А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включенного состояния
    • Малый размер пакета
    • Доступен в компактном корпусе SOT227B
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за медленного времени перехода
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих высокой токовой способности и низкого напряжения включения
    • Подходит для питания больших потребителей энергии, таких как моторы и силовые системы
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Силовых преобразователях
    • Электроприводах
    • Инструментах с электрическими двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN210P10T

Техническая документация

IXTN210P10T.pdf
pdf. 0 kb
  • 326 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 746 ₽
  • 5
    8 965 ₽
  • 10
    8 181 ₽
  • 50
    7 400 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTN210P10T при покупке от 1 шт 9746.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN210P10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN210P10T

IXTN210P10T IXYS SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 210А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включенного состояния
    • Малый размер пакета
    • Доступен в компактном корпусе SOT227B
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за медленного времени перехода
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих высокой токовой способности и низкого напряжения включения
    • Подходит для питания больших потребителей энергии, таких как моторы и силовые системы
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Силовых преобразователях
    • Электроприводах
    • Инструментах с электрическими двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN210P10T

Техническая документация

IXTN210P10T.pdf
pdf. 0 kb
Доставка