Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTN30N100L

IXTN30N100L

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTN30N100L при покупке от 1 шт 13570 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN30N100L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTN30N100L

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 15A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    545 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    800W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN30
Техническая документация
IXTN30N100L.pdf
pdf. 0 kb
  • 627 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 570 ₽
  • 10
    10 582 ₽
  • 100
    10 460 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена IXTN30N100L при покупке от 1 шт 13570 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN30N100L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTN30N100L

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 15A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    545 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    800W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN30
Техническая документация
IXTN30N100L.pdf
pdf. 0 kb