Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXTN30N100L
  • В избранное
  • В сравнение
IXTN30N100L

IXTN30N100L

IXTN30N100L
;
IXTN30N100L

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN30N100L
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN30N100L при покупке от 1 шт 16088.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN30N100L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN30N100L

IXTN30N100L IXYS MOSFET N-Ч 1000В 30А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1000В
    • Номинальный ток (ID(on)): 30А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на проводнике
    • Малые потери энергии при работе
    • Низкое сопротивление резистора
    • Простота применения и монтажа
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим шумам и помехам
    • Необходимость использования защитных устройств (например, diodes) для предотвращения обратного напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение тока в цифровых системах
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электропитание компьютеров и ноутбуков
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN30N100L

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 15A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    545 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    800W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN30

Техническая документация

 IXTN30N100L.pdf
pdf. 0 kb
  • 509 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    16 088 ₽
  • 10
    12 750 ₽
  • 100
    12 185 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN30N100L
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN30N100L при покупке от 1 шт 16088.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN30N100L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN30N100L

IXTN30N100L IXYS MOSFET N-Ч 1000В 30А SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1000В
    • Номинальный ток (ID(on)): 30А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на проводнике
    • Малые потери энергии при работе
    • Низкое сопротивление резистора
    • Простота применения и монтажа
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим шумам и помехам
    • Необходимость использования защитных устройств (например, diodes) для предотвращения обратного напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение тока в цифровых системах
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электропитание компьютеров и ноутбуков
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN30N100L

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 15A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    545 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    800W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN30

Техническая документация

 IXTN30N100L.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП