Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXTN60N50L2
  • В избранное
  • В сравнение
IXTN60N50L2

IXTN60N50L2

IXTN60N50L2
;
IXTN60N50L2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN60N50L2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 53A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN60N50L2 при покупке от 1 шт 9546.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN60N50L2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN60N50L2

IXTN60N50L2 Littelfuse Inc. MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) – 500В
    • Номинальный ток при VDS(on) = 500В – 53А
    • Форм-фактор – SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение тока течения при открытом состоянии
    • Малый размер и легкость за счет компактного форм-фактора SOT227B
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Требует дополнительных компонентов для работы в некоторых системах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных устройств
  • Применение в устройствах:
    • Приборы для зарядки аккумуляторов
    • Автомобильные системы управления
    • Устройства для управления двигателем
    • Системы электропитания
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN60N50L2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    53A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    610 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    735W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN60

Техническая документация

 IXTN60N50L2.pdf
pdf. 0 kb
  • 535 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 546 ₽
  • 10
    7 210 ₽
  • 100
    6 779 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTN60N50L2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 53A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXTN60N50L2 при покупке от 1 шт 9546.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTN60N50L2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTN60N50L2

IXTN60N50L2 Littelfuse Inc. MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) – 500В
    • Номинальный ток при VDS(on) = 500В – 53А
    • Форм-фактор – SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение тока течения при открытом состоянии
    • Малый размер и легкость за счет компактного форм-фактора SOT227B
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Требует дополнительных компонентов для работы в некоторых системах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных устройств
  • Применение в устройствах:
    • Приборы для зарядки аккумуляторов
    • Автомобильные системы управления
    • Устройства для управления двигателем
    • Системы электропитания
Выбрано: Показать

Характеристики IXTN60N50L2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    53A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    610 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    735W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXTN60

Техническая документация

 IXTN60N50L2.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП