Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTP80N10T
  • В избранное
IXTP80N10T

IXTP80N10T транзистор, MOSFET N-CH, 100В, 80А, 230Вт

  • В избранное
IXTP80N10T
IXTP80N10T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP80N10T
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 80A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP80N10T при покупке от 1 шт 596 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP80N10T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 60 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    596 ₽
  • 10
    471 ₽
  • 50
    403 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики IXTP80N10T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3040 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    230W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP80

Техническая документация

 IXTP80N10T.pdf
pdf. 0 kb

Описание IXTP80N10T

IXTP80N10T IXYS Транзистор: MOSFET N-ЧИНИТ 100В 80А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток прямого тока (ID(on)): 80А
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и низкий сопротивление в канале при рабочем токе
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету TO220AB
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для работы при высоких токах
    • Уязвим к электрическим шумам и помехам
  • Общее назначение:
    • Используется в системах управления силами
    • Подходит для тяжелых инверторов и преобразователей
    • Пригоден для работы в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП