LMG1210RVRR

LMG1210RVRR Texas Instruments - микросхема IC GATE DRVR GAN MOSFET

• Основные параметры:
• Тип: Источник питания
• Технология: GaN (гальванная нитридная)
• Количество каналов: 1
• Рабочее напряжение: до 650 В
• Максимальный ток: 30 А
• Частота: до 1,7 МГц
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Плюсы:
• Высокая эффективность
• Малый размер и масса
• Высокая скорость включения/выключения
• Устойчивость к перегреву
• Низкое сопротивление при включении
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-драйверами
• Требуются специфические условия проектирования и производства
• Необходимо соблюдать требования к изоляции и безопасностям при работе с высоким напряжением
• Общее назначение:
• Используется для управления GaN MOSFET в различных приложениях
• Подходит для применения в преобразователях напряжения, инверторах и других устройствах, требующих высокой частоты работы и высокого напряжения
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Системы хранения энергии
• Бытовые приборы с высокими потреблениями энергии
• Инверторы для солнечных батарей
• Промышленное оборудование