Вход/Регистрация
TPS65983BAZBHRACE C0 MM PRODUCTION
LMG3410R150RWHT
LMG3410R150RWHT
- Производитель:Texas Instruments
- Артикул:LMG3410R150RWHT
- Описание:Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVEВсе характеристики
Минимальная цена LMG3410R150RWHT при покупке от 1 шт 2329.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LMG3410R150RWHT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 110 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 12 329 ₽
- 101 829 ₽
- 251 704 ₽
- 1001 590 ₽
- 2501 501 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Texas Instruments
- Артикул:LMG3410R150RWHT
- Описание:Микросхема: SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVEВсе характеристики
Минимальная цена LMG3410R150RWHT при покупке от 1 шт 2329.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LMG3410R150RWHT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание LMG3410R150RWHT
LMG3410R150RWHT Texas Instruments
- SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE
- Основные параметры:
- Тип транзистора: GaN (Ган)
- Сопротивление: 150МОм
- Напряжение: до 650В
- Ток: до 25А
- Технология: SMART Drive
- Плюсы:
- Высокая скорость переключения (до 1МГц)
- Эффективность работы при высоких температурах
- Малый размер и вес
- Высокая надежность
- Уменьшение тепловыделения
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-ами
- Требуются специфические знания для проектирования
- Необходимо соблюдать специальные требования к охлаждению
- Общее назначение:
- Использование в силовых преобразователях
- Применение в системах питания
- Работа в инверторах
- Высокочастотное преобразование энергии
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы питания
- Системы управления энергией в данных центрах
- Промышленные преобразователи
- Системы резервного питания
- Мобильные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности
Выбрано: Показать
Характеристики LMG3410R150RWHT
Техническая документация
LMG3410R150RWHT.pdf pdf. 0 kb