MMBD352LT1

MMBD352LT1 от ON Semiconductor

• Основные параметры:
  • Номинальный напряжение: 35 В
  • Максимальная токовая способность: 2 А
  • Тип: полупроводниковый транзистор
  • Стрекоза: N-канальный MOSFET
• Плюсы:
  • Высокая скорость включения/выключения
  • Низкий ток смещения
  • Устойчивость к электрическим шумам
  • Компактный размер
• Минусы:
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Возможны проблемы при работе с высокими частотами из-за емкости входа
• Общее назначение:
  • Регулировка напряжения
  • Привод управления электродвигателями
  • Переключение низковольтных цепей
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Инверторы для бытовой техники
  • Управление электродвигателей
  • Системы управления мощностью