Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MMBFJ310LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G
;
MMBFJ310LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBFJ310LT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ310LT3G при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ310LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G onsemi Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET N-канальный JFET
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 10В
    • Объемный коэффициент передачи (Gm): 54мS
    • Рабочий диапазон частоты: до 3ГГц
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23
    • Устойчивость к помехам
    • Хорошая стабильность при изменении температуры
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии при использовании в качестве транзистора усиления
    • Не подходит для высоковольтных приложений
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Усиление сигналов
    • Селекторы каналов
    • Фильтры
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Коммуникационные устройства
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ310LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    60mA
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBFJ310

Техническая документация

 MMBFJ310LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 193081 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    93 ₽
  • 100
    37 ₽
  • 1000
    24.5 ₽
  • 5000
    19.3 ₽
  • 20000
    15.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBFJ310LT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ310LT3G при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ310LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G onsemi Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET N-канальный JFET
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 10В
    • Объемный коэффициент передачи (Gm): 54мS
    • Рабочий диапазон частоты: до 3ГГц
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23
    • Устойчивость к помехам
    • Хорошая стабильность при изменении температуры
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии при использовании в качестве транзистора усиления
    • Не подходит для высоковольтных приложений
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Усиление сигналов
    • Селекторы каналов
    • Фильтры
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Коммуникационные устройства
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ310LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    60mA
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBFJ310

Техническая документация

 MMBFJ310LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    548Кешбэк 82 балла
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    RFM01U7P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    645Кешбэк 96 баллов
    RFM04U6P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    689Кешбэк 103 балла
    2SK209-GR(TE85L,F)Тиристор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    99Кешбэк 14 баллов
    BF1202WR,135Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1201WR,135MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    65Кешбэк 9 баллов
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1100WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1205,115Транзистор: FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    BF1108,215Транзистор: IC RF SWITCH SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    719Кешбэк 107 баллов
    BF1102,115Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    1 925Кешбэк 288 баллов
    BF1216,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    BF1206,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    89Кешбэк 13 баллов
    BF1210,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    BF1100R,215Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1203,115Транзистор: FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
    76Кешбэк 11 баллов
    BF1202R,215Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF904AR,215Транзистор: MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
    46Кешбэк 6 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    4 617Кешбэк 692 балла
    MMRF1014NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    3 570Кешбэк 535 баллов
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    16 472Кешбэк 2 470 баллов
    AFT27S006NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
    3 474Кешбэк 521 балл
    MW7IC2020NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN
    11 653Кешбэк 1 747 баллов
    AFT05MP075GNR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
    5 951Кешбэк 892 балла
    AFT09MP055NR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
    6 866Кешбэк 1 029 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП