MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR

MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR Micron Technology Inc.

• Интерфейс: IC FLASH 2ГБит параллельный
• Напряжение питания: 63В F BGA
• Форм-фактор: F BGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Объем памяти: 2 ГБит или 256 МБ
• Тип памяти: Flash
• Интерфейс: Параллельный
• Напряжение питания: 63 Вольт
• Форм-фактор: F BGA

Плюсы:

• Высокая плотность данных: Большой объем информации в небольшом пространстве.
• Стабильность: Flash память известна своей надежностью и долговечностью.
• Работа без подпитки: Данные сохраняются даже при отключении питания.
• Минимальное энергопотребление: Устройства могут работать на очень малых потреблениях энергии.

Минусы:

• Скорость чтения/записи: В сравнении с DRAM, Flash память имеет более медленные темпы работы.
• Ограниченное количество циклов записи: Flash память имеет ограниченное количество циклов записи перед износом.
• Цена: Обычно дороже, чем аналогичные по объему устройства с DRAM.

Общее назначение:

• Хранение программного обеспечения.
• Данных для систем управления.
• Конфигурационной информации.
• Информации для сетевых устройств.

Применение:

• Компьютерная периферия.
• Мобильные устройства.
• Коммуникационное оборудование.
• Автомобильные системы.
• Сетевые устройства.