Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MT3S111TU,LF

MT3S111TU,LF

MT3S111TU,LF
;
MT3S111TU,LF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    MT3S111TU,LF
  • Описание:
    Транзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR NВсе характеристики

Минимальная цена MT3S111TU,LF при покупке от 3000 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT3S111TU,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT3S111TU,LF

MT3S111TU, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN биполярный транзистор
    • Классификация: RF SIGE (сигнальный высокочастотный)
    • Максимальная частота сlew rate (rise/fall): до 50 ГГц
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 20 В
    • Максимальный ток коллектора: 250 мА
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода ( slew rate )
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к тепловыделению
    • Сложность в проектировании и монтаже из-за высоких частот
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах высоких частот
    • В составе усилительных цепей
    • Для генерации сигналов высокой частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Системы связи
    • Мобильные устройства (мобильные телефоны, смартфоны)
    • Автомобильные системы связи и навигации
    • Профессиональное оборудование для радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики MT3S111TU,LF

Техническая документация

MT3S111TU,LF.pdf
pdf. 0 kb
  • 12000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 3000 шт
  • Количество
    Цена
  • 3000
    57 ₽
  • 9000
    54 ₽
  • 21000
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    MT3S111TU,LF
  • Описание:
    Транзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR NВсе характеристики

Минимальная цена MT3S111TU,LF при покупке от 3000 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT3S111TU,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT3S111TU,LF

MT3S111TU, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN биполярный транзистор
    • Классификация: RF SIGE (сигнальный высокочастотный)
    • Максимальная частота сlew rate (rise/fall): до 50 ГГц
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 20 В
    • Максимальный ток коллектора: 250 мА
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода ( slew rate )
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к тепловыделению
    • Сложность в проектировании и монтаже из-за высоких частот
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах высоких частот
    • В составе усилительных цепей
    • Для генерации сигналов высокой частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Системы связи
    • Мобильные устройства (мобильные телефоны, смартфоны)
    • Автомобильные системы связи и навигации
    • Профессиональное оборудование для радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики MT3S111TU,LF

Техническая документация

MT3S111TU,LF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3000 шт