Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
MT3S113(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)
;
MT3S113(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    MT3S113(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINIВсе характеристики

Минимальная цена MT3S113(TE85L,F) при покупке от 1 шт 114.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT3S113(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) Toshiba Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор для радиочастотных (RF) сигналов
    • Напряжение подавления: 5.3 В
    • Частота: 12.5 ГГц
    • Форм-фактор: SMINI
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы до 12.5 ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер (SMINI)
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы из-за высокой частоты
    • Необходимо соблюдать специальные меры по предотвращению помех
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах и устройствах
    • Работа с высокочастотными сигналами до 12.5 ГГц
    • Применяется в спутниковой связи, мобильной связи, радиолокации и других областях, где требуются высокочастотные компоненты
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Мобильные радиостанции
    • Радиолокационное оборудование
    • Высокочастотные тестовое оборудование
    • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики MT3S113(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.3V
  • Трансформация частоты
    12.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.8dB
  • Рассеивание мощности
    800mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    S-Mini
  • Base Product Number
    MT3S113

Техническая документация

 MT3S113(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 2685 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    114 ₽
  • 100
    80 ₽
  • 1000
    63 ₽
  • 6000
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    MT3S113(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINIВсе характеристики

Минимальная цена MT3S113(TE85L,F) при покупке от 1 шт 114.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT3S113(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) Toshiba Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор для радиочастотных (RF) сигналов
    • Напряжение подавления: 5.3 В
    • Частота: 12.5 ГГц
    • Форм-фактор: SMINI
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы до 12.5 ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер (SMINI)
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы из-за высокой частоты
    • Необходимо соблюдать специальные меры по предотвращению помех
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах и устройствах
    • Работа с высокочастотными сигналами до 12.5 ГГц
    • Применяется в спутниковой связи, мобильной связи, радиолокации и других областях, где требуются высокочастотные компоненты
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Мобильные радиостанции
    • Радиолокационное оборудование
    • Высокочастотные тестовое оборудование
    • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики MT3S113(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.3V
  • Трансформация частоты
    12.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.8dB
  • Рассеивание мощности
    800mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    S-Mini
  • Base Product Number
    MT3S113

Техническая документация

 MT3S113(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП