Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
MT3S113(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)
;
MT3S113(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    MT3S113(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINIВсе характеристики

Минимальная цена MT3S113(TE85L,F) при покупке от 1 шт 116.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT3S113(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) Toshiba Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор для радиочастотных (RF) сигналов
    • Напряжение подавления: 5.3 В
    • Частота: 12.5 ГГц
    • Форм-фактор: SMINI
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы до 12.5 ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер (SMINI)
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы из-за высокой частоты
    • Необходимо соблюдать специальные меры по предотвращению помех
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах и устройствах
    • Работа с высокочастотными сигналами до 12.5 ГГц
    • Применяется в спутниковой связи, мобильной связи, радиолокации и других областях, где требуются высокочастотные компоненты
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Мобильные радиостанции
    • Радиолокационное оборудование
    • Высокочастотные тестовое оборудование
    • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики MT3S113(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.3V
  • Трансформация частоты
    12.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.8dB
  • Рассеивание мощности
    800mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    S-Mini
  • Base Product Number
    MT3S113

Техническая документация

 MT3S113(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 2685 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    116 ₽
  • 100
    81 ₽
  • 1000
    64 ₽
  • 6000
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    MT3S113(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINIВсе характеристики

Минимальная цена MT3S113(TE85L,F) при покупке от 1 шт 116.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT3S113(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) Toshiba Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор для радиочастотных (RF) сигналов
    • Напряжение подавления: 5.3 В
    • Частота: 12.5 ГГц
    • Форм-фактор: SMINI
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы до 12.5 ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер (SMINI)
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы из-за высокой частоты
    • Необходимо соблюдать специальные меры по предотвращению помех
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах и устройствах
    • Работа с высокочастотными сигналами до 12.5 ГГц
    • Применяется в спутниковой связи, мобильной связи, радиолокации и других областях, где требуются высокочастотные компоненты
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые системы связи
    • Мобильные радиостанции
    • Радиолокационное оборудование
    • Высокочастотные тестовое оборудование
    • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики MT3S113(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.3V
  • Трансформация частоты
    12.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Усиление
    11.8dB
  • Рассеивание мощности
    800mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    S-Mini
  • Base Product Number
    MT3S113

Техническая документация

 MT3S113(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MT3S113(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
    116Кешбэк 17 баллов
    MMBTH10Q-7-FТранзистор: RF TRANSISTOR SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    SS9018HBU-FSТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    7.6Кешбэк 1 балл
    BFY90 PBFREEТранзистор: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72
    1 302Кешбэк 195 баллов
    HFA3127MJ/883Транзистор: DUAL MARKED (5962-9474901MEA)
    5 759Кешбэк 863 балла
    HFA3127B96-HCТранзистор: RF 0.037A, 5-ELEMENT, ULTRA HIGH
    56 928Кешбэк 8 539 баллов
    BFR181E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    40Кешбэк 6 баллов
    BFP183E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFP193E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFP181E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFR92PE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR106E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR193L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR182E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    BFR750L3RHE6327Транзистор: RF BIPOLAR TRANSISTOR
    89Кешбэк 13 баллов
    BFR460L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1
    99Кешбэк 14 баллов
    BFR93AE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
    99Кешбэк 14 баллов
    BFR183E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    99Кешбэк 14 баллов
    BFP196WNH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
    116Кешбэк 17 баллов
    NSVF3007SG3T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    30.4Кешбэк 4 балла
    NSVF5501SKT3GТранзистор: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
    68Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT3GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    72Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT1GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    72Кешбэк 10 баллов
    NSVF5488SKT3GТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
    78Кешбэк 11 баллов
    CPH6074-TL-EТранзистор: TRANSISTOR
    82Кешбэк 12 баллов
    NSVF4015SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
    83Кешбэк 12 баллов
    NSVF4020SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
    93Кешбэк 13 баллов
    NSVF6003SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    93Кешбэк 13 баллов
    MX0912B351YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    47 687Кешбэк 7 153 балла
    MZ0912B50YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    54 091Кешбэк 8 113 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП