MT49H8M36SJ-25:B TR

MT49H8M36SJ-25:B TR Micron Микросхема:

• Тип: DRAM (Память с динамическим доступом)
• Объем: 288 Мбит (36 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Количество выводов: 144 FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: Не указано, но для таких моделей DRAM она может быть в диапазоне от 133 МГц до 1067 МГц и выше.
• Напряжение питания: Обычно 1.8 В или 3.3 В.
• Тип памяти: SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory).

Плюсы:

• Высокая скорость работы по сравнению с ОЗУ DRAM предыдущих поколений.
• Синхронизация с системным шиной обеспечивает стабильную работу.
• Многослойная структура позволяет увеличить объем памяти при сохранении размера.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.
• Необходимость постоянного обновления данных.
• Высокая чувствительность к внешним помехам.

Общее назначение:

• Хранение временных данных в компьютерах и серверах.
• Обработка больших объемов информации в реальном времени.

В каких устройствах применяется:

• Компьютеры и серверы.
• Мобильные устройства высокой производительности.
• Профессиональное оборудование для обработки данных.