MT53E128M32D2DS-053 AIT:A

MT53E128M32D2DS-053 AIT:A Micron Technology Inc.

• Микросхема: DRAM (память с высокой скоростью)
• Объем памяти: 4 Гбит (512 МБ)
• Частота: 1.866 ГГц
• Форм-фактор: 200WFBGA (200-Wire Fine-Pitch Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Тип памяти: DDR3
• Напряжение питания: 1.8 В
• Шина данных: 32 бит
• Тип интерфейса: SODIMM (для ноутбуков)

Плюсы:

• Высокая скорость передачи данных
• Малый размер и легкость интеграции в устройства
• Надежность при работе с высокими частотами

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с более дешевыми типами памяти
• Требует более сложного питания и системы охлаждения

Общее назначение:

• Увеличение объема оперативной памяти для ускорения работы устройств
• Поддержка многозадачности и быстрого доступа к данным

Применение:

• Ноутбуки (SODIMM)
• Серверы
• Мобильные устройства
• Профессиональное оборудование