Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MT57V1MH18EF-6

MT57V1MH18EF-6

MT57V1MH18EF-6
;
MT57V1MH18EF-6

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micron Technology Inc.
  • Артикул:
    MT57V1MH18EF-6
  • Описание:
    Микросхема: DDR SRAM, 1MX18, 3NS, CMOS, PBGAВсе характеристики

Минимальная цена MT57V1MH18EF-6 при покупке от 11 шт 5243.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT57V1MH18EF-6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT57V1MH18EF-6

MT57V1MH18EF-6 — микросхема памяти DDR SRAM (синхронный синхронный RAM) от Micron Technology Inc. Основные параметры:

  • Размер памяти: 1МБ x 18 бит
  • Тип интерфейса: DDR (Double Data Rate)
  • Технология: 3НС (3 нанометров)
  • Производитель: Micron Technology Inc.
  • Форм-фактор: PBGA (Plastic Ball Grid Array)

Плюсы:

  • Высокая скорость работы: DDR интерфейс обеспечивает двойную частоту передачи данных по сравнению с обычным SDRAM.
  • Надежность: Производится с использованием современных технологий.
  • Малый размер: PBGA форма позволяет компактно разместить микросхему.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Из-за использования современных технологий и высокого качества.
  • Требует специализированного оборудования для тестирования и установки: Не подходит для массового производства.

Общее назначение:

  • Кэш-память в процессорах и графических картах.
  • Промышленное оборудование и системы управления.
  • Системы хранения данных.

Эти микросхемы применяются в различных устройствах, где требуется высокоскоростная и надежная кэш-память, такие как процессоры, графические карты, серверы и промышленное оборудование.

Выбрано: Показать

Характеристики MT57V1MH18EF-6

  • 448 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 11 шт
  • Количество
    Цена
  • 11
    5 243 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Micron Technology Inc.
  • Артикул:
    MT57V1MH18EF-6
  • Описание:
    Микросхема: DDR SRAM, 1MX18, 3NS, CMOS, PBGAВсе характеристики

Минимальная цена MT57V1MH18EF-6 при покупке от 11 шт 5243.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT57V1MH18EF-6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MT57V1MH18EF-6

MT57V1MH18EF-6 — микросхема памяти DDR SRAM (синхронный синхронный RAM) от Micron Technology Inc. Основные параметры:

  • Размер памяти: 1МБ x 18 бит
  • Тип интерфейса: DDR (Double Data Rate)
  • Технология: 3НС (3 нанометров)
  • Производитель: Micron Technology Inc.
  • Форм-фактор: PBGA (Plastic Ball Grid Array)

Плюсы:

  • Высокая скорость работы: DDR интерфейс обеспечивает двойную частоту передачи данных по сравнению с обычным SDRAM.
  • Надежность: Производится с использованием современных технологий.
  • Малый размер: PBGA форма позволяет компактно разместить микросхему.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Из-за использования современных технологий и высокого качества.
  • Требует специализированного оборудования для тестирования и установки: Не подходит для массового производства.

Общее назначение:

  • Кэш-память в процессорах и графических картах.
  • Промышленное оборудование и системы управления.
  • Системы хранения данных.

Эти микросхемы применяются в различных устройствах, где требуется высокоскоростная и надежная кэш-память, такие как процессоры, графические карты, серверы и промышленное оборудование.

Выбрано: Показать

Характеристики MT57V1MH18EF-6

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 11 шт