MT57W1MH18JF-6 модуль памяти, SRAM - DDR2, 18Мбит, 167МГц, 1.7В ~ 1.9В

MT57W1MH18JF-6 от Micron Technology Inc.

• Тип: Микросхема
• Название: SRAM (Синхронная случайно доступная память)
• Объем: 18 Мбит (2,25 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Количество пинов: 165 FBGA (Фанштетированная бутылочная гильза)

Основные параметры:

• Частота работы: до 133 МГц
• Тип напряжения питания: 3.3 В
• Режим работы: Синхронный
• Поддержкаparity: Да

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным
• Устойчивость к ошибкам благодаря поддержке parity
• Малый размер физической площади при больших объемах данных
• Стабильность работы в различных условиях

Минусы:

• Высокая энергопотребляемость по сравнению с DRAM
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Не подходит для больших объемов данных, требующих постоянного обновления

Общее назначение:

• Кэширование данных в процессорах и графических картах
• Хранение конфигурационной информации в сетевых устройствах
• Поддержка операций в операционных системах и приложениях

Применяется в:

• Процессорах и графических картах
• Сетевых устройствах (маршрутизаторы, брандмауэры)
• Телекоммуникационных системах
• Автомобильных системах управления