NCV304LSQ30T1G

NCV304LSQ30T1G — это полупроводниковый транзистор из серии MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства ON Semiconductor.

• Основные параметры:
• Рейтинг напряжения вдоль канала (V_GS(th)): 4 V
• Рейтинг напряжения на коллекторе (V_DS(on)): 30 V
• Предел тока коллектора (I_D(on)): 12 A
• Частота срабатывания (f_T): 650 MHz
• Рейтинг тепловыделения (R_θJA): 175 °C/W

• Плюсы:
• Высокая скорость срабатывания
• Низкое значение напряжения вдоль канала
• Низкое значение тока тепловыделения
• Стабильная работа при высоких температурах

• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с аналогичными моделями
• Требует специфического монтажа и проектирования

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи напряжения, синхронные усилители и другие системы управления током.

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные преобразователи напряжения
• Энергосберегающие системы
• Системы управления нагрузкой