NCV81071BZR2G

NCV81071BZR2G, производитель ON Semiconductor, представляет собой буферный/инверторный MOSFET.

• Основные параметры:
  • Тип: MOSFET буферного/инверторного типа
  • Рейтингная напряжение (V_DS): 120 В
  • Максимальное токовое напряжение (V_GS): 20 В
  • Максимальный ток (I_D): 4 А
  • Максимальная частота (f_T): 10 МГц
  • Температурный диапазон: -55 °C до +175 °C
• Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к статическому электричеству
  • Низкий ток дrain-gate
  • Малый размер и легкость
• Минусы:
  • Высокое энергетическое затраты при работе в режиме инвертора
  • Высокие требования к проектированию платы из-за высокой частоты переключения
• Общее назначение:
  • Использование в цифровых и аналоговых схемах
  • Переключение высокочастотных сигналов
  • Инвертирование логических сигналов
• В каких устройствах применяется:
  • Мобильные устройства
  • Автомобили
  • Промышленное оборудование
  • Электронные системы управления