NHDTA114ETR транзистор, PNP - Pre-Biased, 80В, 100мА, 10 кОм

Назначение: Транзистор NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется управление током или мощностью.

• Основные параметры:
• V_CEO: 40 В - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при открытом базе.
• I_C: 1.5 А - номинальный ток коллектора.
• U_BVCES: 4.5 В - напряжение между базой и эмиттером при максимальном коллекторе-эмиттерском токе.
• Радиальный корпус SOT23 и TO-236AB - обеспечивают надежное теплоотведение.

Плюсы:

• Высокая надежность и долговечность.
• Малый размер корпуса для компактного дизайна устройств.
• Высокое отношение цены к качеству.

Минусы:

• Требует осторожности при работе с высокими напряжениями.
• Не подходит для всех типов применений из-за ограничений по напряжению и току.

Общее назначение: Используется в источниках питания, преобразователях напряжения, усилителях и других устройствах, где требуется управление током или мощностью.

Применение:

• Источники питания.
• Преобразователи напряжения.
• Усилители.
• Автомобильная электроника.
• Инверторы.