NIS5132MN2TXG

NIS5132MN2TXG от On Semiconductor — микросхема электронного предохранителя напряжением 12В в пакете 10DFN.

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания: 12В
• Размеры пакета: 10DFN (3x3 мм)
• Ток срабатывания: 10A
• Максимальная температура окружающей среды: до +125°C
• Скорость реакции: мкс. 5 мс
• Плюсы:
• Высокая скорость реакции на перегрев или переток
• Компактный размер
• Прочность при работе в условиях высокой температуры
• Экономичность благодаря низкому энергопотреблению
• Минусы:
• Цена может быть выше, чем у традиционных механических предохранителей
• Необходимо наличие соответствующего оборудования для программирования
• Общее назначение:
• Защита электрических цепей от перегрузок и коротких замыканий
• Обеспечение безопасности работы электронных устройств
• Управление током в различных приборах и системах
• Применяется в:
• Автомобильной электронике
• Промышленном оборудовании
• Электронных приборах
• Системах питания